Subpicosecond thermalization of carriers in polar GaN/AlN quantum dots

M M. Hrytsaienko (Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg 1 , UMR 7504 CNRS-Université de Strasbourg, 23 rue du Lœss, BP 43, F-67034 Strasbourg,) D D. O. Siebadji Tchuimeni (Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg 1 , UMR 7504 CNRS-Université de Strasbourg, 23 rue du Lœss, BP 43, F-67034 Strasbourg,) M M. Ziegler O O. Crégut (Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg 1 , UMR 7504 CNRS-Université de Strasbourg, 23 rue du Lœss, BP 43, F-67034 Strasbourg,) G G. Schmidt F F. Bertram (Institute of Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg 3 , 39106 Magdeburg,) J J. Christen (Institute of Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg 3 , 39106 Magdeburg,) S S. Tamariz (Institute of Physics, École Polytechnique Fédérale de Lausanne, EPFL 4 , CH-1015 Lausanne,) R R. Butté (Institute of Physics, École Polytechnique Fédérale de Lausanne, EPFL 4 , CH-1015 Lausanne,) N N. Grandjean (Institute of Physics, École Polytechnique Fédérale de Lausanne, EPFL 4 , CH-1015 Lausanne,) P P. Gilliot (Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg 1 , UMR 7504 CNRS-Université de Strasbourg, 23 rue du Lœss, BP 43, F-67034 Strasbourg,) M M. Gallart (Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg 1 , UMR 7504 CNRS-Université de Strasbourg, 23 rue du Lœss, BP 43, F-67034 Strasbourg,)

Abstract

We investigate at room temperature the thermalization and recombination dynamics of near-resonantly photogenerated carriers in c-plane GaN/AlN wurtzite quantum dots (QDs) using time-resolved photoluminescence and non-degenerate pump–probe differential transmission. Owing to a continuous gradient in dot height, the QD ensemble exhibits a broad emission range from 3.5 to 4.5 eV. Time-resolved photoluminescence reveals two distinct recombination lifetimes associated with two families of QDs with different morphologies, whose emission energies are governed by the interplay between the quantum-confined Stark effect and lateral confinement. Pump–probe measurements evidence an ultrafast carrier thermalization with subpicosecond rise times on the order of 200 fs, significantly shorter than in other epitaxial III–V QD systems. At longer delays, the relaxation dynamics is non-exponential and strongly dependent on both carrier density and probe energy. It is reproduced by a phenomenological model based on multi-carrier scattering processes, whose efficiency progressively vanishes as the probe energy approaches the luminescence maximum, where interband recombination dominates.

Article Details

Volume / Issue Vol. 139, Issue 8
Published February 28, 2026
ISSN 0021-8979
Publisher American Institute of Physics

Journal Info

Journal of Applied Physics

American Institute of Physics

ISSN: 0021-8979 Physical Sciences

Authors (12)

M

M. Hrytsaienko

Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg 1 , UMR 7504 CNRS-Université de Strasbourg, 23 rue du Lœss, BP 43, F-67034 Strasbourg,

D

D. O. Siebadji Tchuimeni

Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg 1 , UMR 7504 CNRS-Université de Strasbourg, 23 rue du Lœss, BP 43, F-67034 Strasbourg,

M

M. Ziegler

O

O. Crégut

Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg 1 , UMR 7504 CNRS-Université de Strasbourg, 23 rue du Lœss, BP 43, F-67034 Strasbourg,

G

G. Schmidt

F

F. Bertram

Institute of Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg 3 , 39106 Magdeburg,

J

J. Christen

Institute of Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg 3 , 39106 Magdeburg,

S

S. Tamariz

Institute of Physics, École Polytechnique Fédérale de Lausanne, EPFL 4 , CH-1015 Lausanne,

R

R. Butté

Institute of Physics, École Polytechnique Fédérale de Lausanne, EPFL 4 , CH-1015 Lausanne,

N

N. Grandjean

Institute of Physics, École Polytechnique Fédérale de Lausanne, EPFL 4 , CH-1015 Lausanne,

P

P. Gilliot

Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg 1 , UMR 7504 CNRS-Université de Strasbourg, 23 rue du Lœss, BP 43, F-67034 Strasbourg,

M

M. Gallart

Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg 1 , UMR 7504 CNRS-Université de Strasbourg, 23 rue du Lœss, BP 43, F-67034 Strasbourg,