Capping of thin rare-earth silicide nanostructures on Si(111)
Abstract
Rare-earth silicide nanostructures can be grown epitaxially on the Si(111) surface and form extremely low Schottky-barrier heights on n-type Si. However, a protective overlayer is required for device applications. Here, we study the capping of Tb silicide monolayer and bilayer nanostructures with a Si overlayer using scanning tunneling microscopy and (scanning) transmission electron microscopy. We find that the nanostructures remain mostly unaffected by room-temperature capping. The bilayer nanostructures can also be epitaxially capped by post-annealing for crystallization of the Si overlayer. In contrast, the capped monolayer is thermally unstable upon post-annealing and mostly transforms to epitaxially capped bilayer nanostructures.
Article Details
Journal Info
Journal of Applied Physics
American Institute of Physics
Authors (9)
Markus Benjamin Bachler
Institut für Physik und Astronomie, Technische Universität Berlin 1 , Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin,
Milan Kubicki
Technische Universität Berlin Institut für Physik und Astronomie Hardenbergstraße 36 10623 Berlin Germany
Huseyin Celik
Sören Selve
Zentraleinrichtung Elektronenmikroskopie (ZELMI), Technische Universität Berlin 3 , Straße des 17. Juni 135, 10623 Berlin,
Tolga Wagner
Institut für Physik, Humboldt-Universität zu Berlin 4 , Newtonstraße 15, 12489 Berlin,
Kris Holtgrewe
Institut für Theoretische Physik, Justus-Liebig-Universität Gießen 5 , Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Gießen,
Martin Franz
Michael Lehmann
Institut für Physik und Astronomie, Technische Universität Berlin 2 , Straße des 17. Juni 135, 10623 Berlin,
Mario Dähne
Technische Universität Berlin Institut für Physik und Astronomie Hardenbergstraße 36 10623 Berlin Germany