Z. H. Li, Y. R. Luo, N. Sun, X. J. Chen, S. H. Gu, X. S. Wang, C. D. Zhang, C. P. Liu, F.-F. Ren, S. L. Gu, R. Zhang, J. D. Ye. "Valence-band engineering of robust
                    <i>p</i>
                    -type Ni
                    <i>x</i>
                    Ga1−
                    <i>x</i>
                    O enabling Ga2O3 p–n bipolar junction." Applied Physics Letters (2026). https://doi.org/10.1063/5.0316209