Li, Z. H., Luo, Y. R., Sun, N., Chen, X. J., Gu, S. H., Wang, X. S., Zhang, C. D., Liu, C. P., Ren, F., Gu, S. L., Zhang, R., Ye, J. D. (2026). Valence-band engineering of robust
                    <i>p</i>
                    -type Ni
                    <i>x</i>
                    Ga1−
                    <i>x</i>
                    O enabling Ga2O3 p–n bipolar junction. Applied Physics Letters. https://doi.org/10.1063/5.0316209